Zbyt szybkie nagrzewanie się pamięci podręcznej Mechaniczny czas przemieszczania się głowicy nad odpowiednią ścieżkę (Seek Time) Niemożność odczytu danych w ciemności Zbyt mała pojemność interfejsu kabla transmisyjnego

Fosforową emulsją światłoczułą Cienką warstwą materiału magnetycznego Warstwą komórek pamięci flash NAND Warstwą półprzewodzącego dielektryka

25000 lub 30000 RPM 5400 lub 7200 RPM 1200 lub 2400 RPM 1000 lub 1500 RPM

Do 5400 RPM Do 50000 RPM Do 10000 lub 15000 RPM Do 2500 RPM

Dwukrotnie większa prędkość odczytu sekwencyjnego Cichsza praca oraz niższe zużycie energii i emisja ciepła Możliwość podłączenia do płyty głównej bez kabli sygnałowych Całkowity brak podatności na uszkodzenia mechaniczne przy upadku

Dane zostają zaszyfrowane i można je odzyskać hasłem administratora Dane są automatycznie i bezstratnie przenoszone do pamięci Cache Następuje bezpowrotna utrata danych w wyniku fizycznego zniszczenia warstwy nośnika Pliki zostają jedynie przestawione w tryb tylko do odczytu

Kontroler pamięci podręcznej Silnik wrzecionowy (Spindle Motor) Siłownik (Actuator) Cewka pozycjonera ramienia

Ponieważ nie posiada żadnych elementów zasilanych półprzewodnikowo Ponieważ jest zasilany wyłącznie prądem zmiennym o wysokim napięciu Ponieważ łączy układy elektroniczne z ruchomymi elementami mechanicznymi (silnik, ramię, talerze) Ponieważ do pracy wymaga regularnego nakręcania sprężyny mechanicznej

RPM (obroty na minutę) Hz (herce) IOPS (operacje wejścia/wyjścia na sekundę) BPS (bajty na sekundę)

Na polu elektrostatycznym wytwarzanym przez cewkę Na cienkiej warstwie oleju syntetycznego Na silikonowych miniaturowych rolkach Na mikroskopijnej poduszce powietrznej