Komórki QLC Komórki MLC Komórki TLC Komórki SLC

Error Correction Code (ECC) Static RAM (SRAM) NAND Flash Dynamic RAM (DRAM)

Za pomocą procedury POST w menu UEFI/BIOS Za pomocą testów MemTest86 zapisujących ciągi danych Za pomocą programu GPU-Z sprawdzającego linie PCIe Za pomocą narzędzi monitorujących parametry SMART

cache.dmp pagefile.sys sram.sys bios.rom

W stałych obwodach typu Read-Only Memory W kondensatorach, które muszą być cyklicznie odświeżane W układach przerzutników statycznych typu flip-flop W nieulotnych komórkach typu NAND Flash

Brak pliku stronicowania pagefile.sys Uszkodzone komórki pamięci DRAM Prawidłowe działanie algorytmu ECC Zbyt niska temperatura pracy procesora

Ograniczenie przepustowości narzucone przez magistralę DMI Brak obsługi technologii Dual Channel przez kontroler dysku Fakt, że dysk jest wielokrotnie wolniejszy od fizycznej pamięci operacyjnej RAM Zastosowanie wolnych komórek typu QLC zamiast SLC

Ponieważ przechowuje bity w kondensatorach, które muszą być cyklicznie odświeżane Ponieważ jej taktowanie dynamicznie dopasowuje się do magistrali DMI Ponieważ nie traci danych po odcięciu zasilania elektrycznego Ponieważ potrafi samodzielnie zmieniać swoją pojemność w systemie

Przechowują firmware płyty głównej (UEFI/BIOS) i są kluczowe dla procesu POST Do szybkiego buforowania operacji zapisu na dyskach NVMe Do obsługi algorytmów korekcji błędów ECC w serwerach Do zapisywania plików stronicowania systemów operacyjnych

Nowoczesnym standardem komórek TLC stosowanym w dyskach SSD Najszybszym typem pamięci podręcznej L3 zintegrowanej w procesorze Zewnętrzną pamięcią wirtualną zarządzaną przez system operacyjny Specjalnym rodzajem pamięci DRAM wyposażonym w dodatkowe układy sprawdzające parzystość danych