R (Recordable) wykorzystująca organiczny barwnik RW (Rewritable) wykorzystująca zmianę fazową Tłoczone płyty muzyczne CD-Audio M-DISC z nieorganiczną warstwą mineralną

Opiera się na Surface Scan i weryfikacji błędów odczytu w locie, biorąc pod uwagę stan mechaniczny napędu Sprawdza się wyłącznie licznik zużycia komórek P/E w SMART Analizuje się poziom napięcia progowego na bramce izolowanej Kontroluje się stopień naładowania wbudowanego akumulatora litowo-jonowego

Kompresuje pliki audio i wideo w celu oszczędności miejsca Usuwa kurz zgromadzony wewnątrz obudowy dysku SSD Kasuje pliki tymczasowe systemu operacyjnego co 24 godziny Oczyszcza i konsoliduje bloki danych, zwalniając zużyte strony pamięci do ponownego zapisu

Są całkowicie odporne na wyładowania ESD i błędy kontrolerów elektronicznych Zapewniają gigabitowe prędkości transferu danych przez magistralę PCIe Mogą wytrzymać nieograniczoną liczbę cykli zapisu i kasowania danych Posiadają wbudowany system korekcji błędów ECC naprawiający fizyczne pęknięcia płyty

Wear Leveling (wyrównywanie zużycia) oraz Garbage Collection (zbieranie śmieci) Kompresję bezstratną plików oraz szyfrowanie kluczem RSA-4096 w locie Generowanie automatycznych kopii zapasowych w chmurze publicznej Regulację prędkości obrotowej talerzy oraz kalibrację mocy lasera

650 nm, światło czerwone 532 nm, światło zielone 405 nm, światło niebiesko-fioletowe 780 nm, światło podczerwone

Na magnetycznych talerzach wirujących z prędkością 7200 RPM Na tranzystorach z izolowaną bramką (Floating Gate) lub technologii pułapki ładunku (Charge Trap) Na kwarcowych rezonatorach piezoelektrycznych Na ciekłych kryształach polimerowych sterowanych polem elektrostatycznym

Zostaje trwale zmieniony lub utleniony pod wpływem lasera o wyższej mocy Zmienia stan fazowy z krystalicznego na amorficzny w sposób odwracalny Zostaje całkowicie zmyty przez wbudowany układ czyszczący Zyskuje właściwości nadprzewodzące w temperaturze pokojowej

Namagnesowanie mikroskopijnych domen ferromagnetycznych Fizyczne wgłębienia (pits) i obszary płaskie (lands) Ładunek elektryczny w komórce (tranzystorze) Zmiana stanu fazowego metalu z krystalicznego na amorficzny

Ponieważ po kilku latach bez zasilania może dojść do samoistnej utraty ładunku elektrycznego (data retention) Ponieważ nośniki Flash są całkowicie niszczone przez promieniowanie UV w ciemnym pomieszczeniu Ponieważ interfejs USB ulega fizycznemu stopieniu po roku bezczynności Ponieważ kontroler FTL automatycznie formatuje dysk po 36 miesiącach